产品简介
碳化硅晶片主要用于肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、双极结型晶体管、晶闸管、可关断晶闸管和绝缘栅双极型晶体管的制作。
技术参数
外形尺寸 2", 3", 4" , 10 X 10mm, 10 X 5mm 厚度 330µm, 430µm, 或定制 晶向 生长轴或 偏 (0001) 3.5° 表面处理 单抛, 双抛 抛光等级 Ra < 1纳米 晶胞结构六方 晶格常数 a =3.08 Å c = 15.08 Å 排列次序 ABCACB (6H), ABCA(4H) 生长方法 MOCVD 抛光 Si面抛光 带隙 2.93 eV (间接) 导电类型 N 电阻率 0.076 ohm·cm 介电常数 e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 热导率@300K 5 W / cm . K 硬度 9.2 Mohs
商品标签