产品简介
锑化镓为半导体材料。分子式为GaSb,闪锌矿型结构,晶格常数0.6094nm,密度5.6137g/cm3,为直接带隙半导体,室温时禁带宽度为0.70eV。产品技术参数
单晶 GaSb 掺杂 None None high R Zn Te Te high R 导电类型 P P- P+ N N 载流子浓度cm-3 1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016 位错密度cm-2 <103 生长方法 LEC 最大尺寸 Φ3″ 标准基片 Φ3″×0.5, Φ2″×0.5 表面处理 研磨,单抛,双抛
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